一种适用于大口径喉口的复投装置
授权
摘要
本实用新型提供一种适用于大口径喉口的复投装置，包括复投筒、复投卡接装置、喉口卡接装置和提升装置，其中，提升装置与复投筒滑动连接，便于复投投料；复投卡接装置设于复投筒进料端，且复投卡接装置与喉口卡接装置接触配合，喉口卡接装置与隔离阀室可拆卸连接，便于复投筒卡接在隔离阀室上，进行复投投料。本实用新型的有益效果是具有喉口卡接装置，同时，在复投筒的进料端安装有复投卡接装置，通过复投卡接装置与喉口卡接装置相配合，喉口卡接装置与隔离阀室的顶端卡接，使得复投筒的进料端卡接在隔离阀室内，满足大尺寸复投筒复投要求，满足更大范围单晶直径的拉制要求。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于大口径喉口的复投装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921976347.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-15
授权号 ：
CN211367804U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
霍志强张文霞武志军郭谦钟旭宋瑞强景吉祥李晓东康学兵高润飞徐强王林
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921976347.4
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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