一种新型72对棒还原炉高压击穿系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型72对棒还原炉高压击穿系统,包括8个高压击穿柜和至少1个功率控制柜,高压击穿柜串接每相硅芯,能够为硅芯加载电压以进行击穿和维持,功率控制柜串接6相硅芯,能够在每相硅芯被击穿后以恒定电流加热该相硅芯。第1~3相硅芯中每相的12对硅芯设置为两组,第1组包括8对硅芯,第2组包括4对硅芯,第1组的8对硅芯由第1~4个高压击穿柜进行击穿并维持,第2组的4对硅芯由第5~8个高压击穿柜进行击穿;第4~6相硅芯中每相的12对硅芯仅设置为一组,并由第1~6个高压击穿柜进行击穿。本实用新型缩短了硅芯的高压维持时间,减小了长时间维持高压状态对硅芯的损伤,将高压击穿柜由传统的12面减少为8面,节省了设备投资。
基本信息
专利标题 :
一种新型72对棒还原炉高压击穿系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921999603.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-18
授权号 :
CN211255272U
授权日 :
2020-08-14
发明人 :
邹分红简凤麟赵小飞梁国东梁瑞锋张龙刚
申请人 :
新疆东方希望新能源有限公司
申请人地址 :
新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州准东经济技术开发区
代理机构 :
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 :
管高峰
优先权 :
CN201921999603.1
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2020-08-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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