解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构，包括芯片和引线框基岛，所述引线框基岛上表面设有一环形凹槽，所述环形凹槽内侧形成焊接支撑台，所述焊接支撑台上表面低于引线框基岛的上表面，焊接支撑台上表面还阵列设有多个高度相同的支撑凸点，芯片通过烧结银胶焊接在焊接支撑台上。通过调整焊接支撑台上表面与引线框基岛的上表面之间的高度差，可以使外溢的烧结银胶即能反包芯片边缘，形成爬胶，同时又能避免烧结银胶爬胶过高；所述支撑凸点能有效的帮助将烧结银胶中的空气排挤出去，能使焊接层空洞率减少到2%以内，支撑凸点能保证芯片放置时的平整，避免出现芯片倾斜，能提升产品的焊接可靠性和产品的散热性。
基本信息
专利标题 ：
解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922009625.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN210723008U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
杨建伟
申请人 ：
广东气派科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市石排镇气派科技路气派大厦
代理机构 ：
深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司
代理人 ：
周玉红
优先权 ：
CN201922009625.5
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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