一种单射频加双灯管臭氧浓度发生器
授权
摘要
本实用新型公开的属于晶体硅太阳能电池清洗设备技术领域的一种单射频加双灯管臭氧浓度发生器，包括装置箱、氧气发生器、双灯管臭氧发生器、射频臭氧发生器和氮气发生器，装置箱的内底壁螺接有氧气发生器，氧气发生器的出气口与输氧管管组的进气侧连接，输氧管管组的出气侧分别与双灯管臭氧发生器和射频臭氧发生器的进气口固定连接，双灯管臭氧发生器和射频臭氧发生器底部的臭氧输出口均与臭氧管管组的进气侧固定连接，臭氧管管组的出气侧与臭氧喷淋板连接，装置箱的顶壁螺接有氮气发生器，氮气发生器的出气口与氮气管的进气侧连接，氮气管的另一端与臭氧管管组连接，本装置结构设计科学合理，确保硅片表面能形成一层均匀致密的氧化层(SiO2层)。
基本信息
专利标题 ：
一种单射频加双灯管臭氧浓度发生器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922029732.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN210765584U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
周智波
申请人 ：
湖北天合光能有限公司
申请人地址 ：
湖北省仙桃市桃花岭大道中段28号
代理机构 ：
北京天奇智新知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨文录
优先权 ：
CN201922029732.4
主分类号 ：
C30B33/00
IPC分类号 ：
C30B33/00 H02S40/10 C01B13/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
