光电探测单元、光电探测结构及光电探测器

授权

摘要

本申请涉及光电探测单元、光电探测结构及光电探测器，其中，光电探测单元包括第一基底；第一结构，具有第一掺杂类型，形成于第一基底的正面上；第二结构，具有第二掺杂类型，形成于第一结构内，第一结构具有包围第二结构底面和侧面的底壁和侧壁；第一光处理层，具有凹凸结构，形成于第二结构的上表面；重掺杂区，具有第一掺杂类型，形成于侧壁内，重掺杂区的掺杂浓度大于侧壁的掺杂浓度；第一电极，与重掺杂区电连接；第二电极，与第二结构电连接。在本申请中，第一结构和第二结构形成光探测层，在光探测层上形成第一光处理层，通过第一光处理层对入射光线进行多次反射以增加光程，提高光探测层的光吸收效率。

基本信息

专利标题：

光电探测单元、光电探测结构及光电探测器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922034397.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-20

授权号：

CN211017104U

授权日：

2020-07-14

发明人：

臧凯李爽张超

申请人：

深圳市灵明光子科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区西丽街道高新技术产业园北区清华信息港科研楼4层410号

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

汪洁丽

优先权：

CN201922034397.7

主分类号：

H01L31/10

IPC分类号：

H01L31/10 H01L27/144