侧面光栅氧化限制结构单纵模边发射激光器

授权

摘要

本实用新型涉及光电子器件设计技术领域，尤其涉及一种侧面光栅氧化限制结构单纵模边发射激光器，其不同之处在于：其包括N电极层；衬底，设于N电极层上；下盖层，设于衬底上；下波导层，设于下盖层上；有源区，设于下波导层上；脊形条结构，设于有源区上；所述脊形条结构包括：上波导层，设于有源区上；中间层，设于上波导层上；上盖层，设于中间层上；接触层，设于上盖层上；P电极层，设于接触层上；侧面光栅结构，设于脊形条结构侧部，具有凹槽状的周期结构。本实用新型有助于电流高效注入、大模式体积基横模的实现，以及低损耗模式选择光栅的实现。

基本信息

专利标题：

侧面光栅氧化限制结构单纵模边发射激光器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922047722.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-25

授权号：

CN212011600U

授权日：

2020-11-24

发明人：

王岩罗帅季海铭

申请人：

江苏华兴激光科技有限公司;武汉凹伟能源科技有限公司

申请人地址：

江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧

代理机构：

武汉今天智汇专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

邓寅杰

优先权：

CN201922047722.3

主分类号：

H01S5/22

IPC分类号：

H01S5/22