一种CPU直接驱动MOS管的升压电路
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摘要
本实用新型公开了一种CPU直接驱动MOS管的升压电路，涉及电子电路领域。该升压电路包括依次连接的供电输入端、升压电感、整流与抑制过冲电路和升压输出端，还包括CPU和第一MOS管。整流与抑制过冲电路包括第三电容和并联的第一二极管、第三MOS管。本实用新型通过CPU的PWM信号输出脚输出一定占空比的脉冲直接驱动升压电感和第一MOS管，在第一MOS管导通期间，升压电感通电储能；在第一MOS管关断期间，升压电感的储能变成自感高压脉冲，经整流滤波后转换成高压直流电向负载供电。整流与抑制过冲电路包括并联的第一二极管(整流二极管)和第三MOS管，以及第三电容组成的抑制瞬间电压过冲电路，能够抑制负载突然减小或消失情况下的升压输出电压瞬间飙升。
基本信息
专利标题 ：
一种CPU直接驱动MOS管的升压电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922065272.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN210780550U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
田宝军安飞虎李欣
申请人 ：
深圳飞安瑞科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道玉塘办事处田寮社区同观路十九号路10号九洲工业园厂房1栋八楼802，五楼502
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
洪铭福
优先权 ：
CN201922065272.0
主分类号 ：
H02M3/158
IPC分类号 ：
H02M3/158 H02M1/32 H02M1/14
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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