基于SiC半导体材料的无功补偿与谐波治理综合装置
授权
摘要
本实用新型提供了基于SiC半导体材料的无功补偿与谐波治理综合装置，包括MOSFET模块，所述MOSFET模块内具有半导体，所述半导体为SiC半导体。当今市场上APF/SVG产品使用Si半导体的IGBT模块在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。随着APF/SVG对于效率和体积提出更高的要求，传统的Si材料已经接近理论性能极限，无法进一步满足技术需求。而SiC半导体材料具有耐高压、耐高温、低损耗、高效率等特性，被申请人视为APF/SVG市场上高端技术领域研发的重点。本实用新型利用SiC材料制造APF/SVG产品利用SiC功率密度高、损耗低、开断延时小等优势，可以支持更小的并网电抗器来保证并网波形质量，可以减少外置器件的成本、体积与重量，削减有源装置整体的体积和重量。
基本信息
专利标题 ：
基于SiC半导体材料的无功补偿与谐波治理综合装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922082429.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN211744048U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
严昊翁健洪孙刚浩汪龙伟
申请人 ：
胜业电气股份有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市顺德区伦教新熹四路北4号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
刘孟斌
优先权 ：
CN201922082429.0
主分类号 ：
H02J3/18
IPC分类号 ：
H02J3/18 H02J3/01
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
