气体管路分流装置及干法刻蚀机
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摘要

本实用新型提供了一种气体管路分流装置及干法刻蚀机,包括:管路本体、与所述管路本体连接的分流阀,与所述分流阀连接的多个管路支路,与所述管路支路连接上极板,所述上极板从中心到边缘分为多个区域,每个区域分布1个或多个气孔,每个区域对应一个所述管路支路。本实用新型还提供了一种干法刻蚀机,其特征在于,包括:静电吸附盘、位于所述静电吸附盘上的气体管路分流装置、连接所述静电吸附盘和所述管路分流装置的腔体和位于所述腔体下方的分子泵。在本实用新型提供的气体管路分流装置及干法刻蚀机中,将上极板从内到外分为多个区域,管路分流装置通过分流阀控制多个管体支路的气体流量,分别控制晶圆上的各个区域的刻蚀速率,从而,提高刻蚀速率的均匀性。

基本信息
专利标题 :
气体管路分流装置及干法刻蚀机
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922088521.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-27
授权号 :
CN210778498U
授权日 :
2020-06-16
发明人 :
梁倪萍王骏杰
申请人 :
上海华力微电子有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 :
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
曹廷廷
优先权 :
CN201922088521.8
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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