一种单晶炉及其底部加热器
授权
摘要
本申请公开了一种单晶炉底部加热器，包括呈筒状的侧部加热体和底部加热体；所述侧部加热体的底部设置有沿径向向内延伸的电极脚，且在垂直所述电极脚方向上设置有凹槽；所述底部加热体包括环状中心加热单元和辅助加热单元，所述辅助加热单元的第一端与所述中心加热单元相连，所述辅助加热单元的第二端与所述电极脚相连。可见，本申请中的底部加热器包括侧部加热体和底部加热体，可以同时对炉底和侧面进行加热，加热面积增加，加快坩埚内硅料的熔化速度，同时改善现有底部加热器在底部集中加热的缺陷，提高对硅料加热的均匀性，避免处于上层的硅料快速下落对坩埚造成损伤。此外，本申请还提供一种具有上述优点的单晶炉。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉及其底部加热器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922090887.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN210856406U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
刘礼猛白枭龙何丽珠汪沛渊杨俊邓清香张涛金浩
申请人 ：
晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请人地址 ：
江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
田媛媛
优先权 ：
CN201922090887.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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