可编程存储单元、可编程存储阵列
授权
摘要
本实用新型涉及存储技术领域，提出一种可编程存储单元、可编程存储阵列，可编程存储单元包括：第一反熔丝，连接于第一电源端和输出端之间；第二反熔丝，连接于第二电源端和所述输出端之间；第三开关单元，连接所述输出端、第三电源端以及位置信号端，用于响应所述位置信号端的信号连通所述第三电源端和所述输出端。该可编程存储单元结构简单且具有较高的读取速度。
基本信息
专利标题 ：
可编程存储单元、可编程存储阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922140750.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN210639992U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
李新应战
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201922140750.X
主分类号 ：
G11C17/16
IPC分类号 ：
G11C17/16 G11C17/18 G11C29/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如：可手动更换的信息卡
G11C17/14
通过有选择地建立、断开或修改能永久变更耦合元件状态的连接链路确定其存储内容的，例如，PROM
G11C17/16
应用电可熔链路的
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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