一种可见光宽带宽高量子效率探测芯片
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摘要
本实用新型公开了一种可见光宽带宽高量子效率探测芯片。所述可见光宽带宽高量子效率探测芯片包括芯片和集成在芯片上顶层硅内的的探测芯片，单个所述探测芯片包括衬底硅层、位于衬底硅层上的SiO2层、位于SiO2层上的顶层硅层、位于顶层硅层中的p型Si、i型Si和n型Si、位于i型Si中的空气孔阵列，以及位于p型Si和n型Si上的电极。本实用新型所述的可见光宽带宽高量子效率探测芯片能同时满足从蓝光到红光波段范围的响应及该波段内的高吸收率。
基本信息
专利标题 ：
一种可见光宽带宽高量子效率探测芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922154107.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-04
授权号 ：
CN210805802U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
张军高丹
申请人 ：
暨南大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区黄埔大道西601号
代理机构 ：
广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑永泉
优先权 ：
CN201922154107.2
主分类号 ：
H01L31/105
IPC分类号 ：
H01L31/105 H01L31/0232 H01L31/18
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法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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