单晶炉自动定量真空加料系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉自动定量真空加料系统，包括储料罐，所述储料罐的上端设置计量仓，所述计量仓的上方设置加料仓，所述加料仓的侧面卡接吸料管，所述吸料管的另一端卡接储料罐，所述加料仓的顶部卡接吸料管，所述吸料管的另一端卡接过滤器，所述过滤器通过连接管连通旋涡气泵，所述储料罐内设置主料加料模块，所述计量仓内设置小料加料模块，所述加料仓内设置真空上料模块，所述主料加料模块、小料加料模块和真空上料模块均电性连接PLC控制器，所述PLC控制器电性连接控制屏。该装置能够实现了单晶炉原料的自助定量加料，可以稳定，可靠的满足单晶硅棒生产的要求，实现了经济、高效。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉自动定量真空加料系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922155278.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-05
授权号 ：
CN211036180U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
黄蕾包应正
申请人 ：
无锡港晖电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区君山路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922155278.7
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B15/20 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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