一种漏电互补的ESD结构
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摘要
本实用新型提供了一种漏电互补的ESD结构，属于电力电子技术，该结构包括两组ESD电路，其中：第一ESD电路和第二ESD电路分别设置在输出开关的两端。本实用新型提出的新型漏电互补的ESD结构能够替代传统的ESD结构，该结构可以大幅度降低开关关断电流的数值，经过实测，该结构可使模拟多路复用器芯片单路开关的关断电流降低到0.1nA以内，提升了模拟多路复用器芯片对微信号传输的准确性。
基本信息
专利标题 ：
一种漏电互补的ESD结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922241699.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-15
授权号 ：
CN210607251U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
吕强孙忠民郭靖赵红武
申请人 ：
西安硅宇微电子有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办锦业一路81号仪表楼5层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922241699.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H03K17/041
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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