改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构

授权

摘要

本实用新型涉及一种改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构，包括预处理模块；混频处理模块，所述的混频处理模块的输入端与所述的预处理模块的输出端相连接；信号转换测量模块，所述的信号转换测量模块的输入端与所述的混频处理模块的输出端相连接。采用了本实用新型的改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构，通过在现有电路结构基础上增加少量的元件，改善了现有技术的相位噪声能力，本实用新型的电路改动较小，通过少数硬件改动实现更高的性能；本实用新型在宽带测量模式下，不影响测量结果。

基本信息

专利标题：

改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922245373.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-13

授权号：

CN210405324U

授权日：

2020-04-24

发明人：

陈爽王小磊

申请人：

上海创远仪器技术股份有限公司

申请人地址：

上海市松江区泗泾镇泗砖路351号6幢

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

王洁

优先权：

CN201922245373.6

主分类号：

H04B15/00

IPC分类号：

H04B15/00