高可靠性RFMEMS数字可变电容单元
授权
摘要
本实用新型涉及一种高可靠性RF MEMS数字可变电容单元,包括衬底,衬底上分布有RF电极、地结构和驱动电极,其中地结构和驱动电极分布在RF电极的两侧,地结构上连接有翘板式上极板,翘板式上极板连接有扭转梁,扭转梁的两侧分布有驱动电极;RF电极上附有用以隔离翘板式上极板与RF电极的介质层;在驱动过程中,翘板式上极板可与RF电极分别形成第一距离、第二距离和第三距离。由此,采用翘板式结构,电容值可控性强。可实现翘板式上极板与RF电极之间较大的距离变化,即可得到较大的变容比。若在第一距离电容状态与第三距离电容状态之间转换时,由于有驱动力和悬臂梁自身回复力的双重作用,响应速度更快。翘板式上极板的两端及支点处的扭转梁都固定于地结构。
基本信息
专利标题 :
高可靠性RFMEMS数字可变电容单元
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922262488.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-17
授权号 :
CN211208252U
授权日 :
2020-08-07
发明人 :
王竞轩刘泽文肖倩陈涛
申请人 :
苏州希美微纳系统有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室
代理机构 :
北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘洪勋
优先权 :
CN201922262488.6
主分类号 :
H01G7/00
IPC分类号 :
H01G7/00 H01G5/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G7/00
用非机械方式改变电容量的电容器;其制造方法
法律状态
2020-08-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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