一种充放电MOS保护电路

授权

摘要

本实用新型一种充放电MOS保护电路，包括电池以及保护电路，所述保护电路包括电流取样电阻RS、放电控制mosQD、充电控制mosQC，还包括放电mos保护稳压管ZD、放电mos保护电容CD、充电mos保护稳压管ZC、充电mos保护电容CC，其中所述电流取样电阻RS用于CPU测量电流，所述放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC提供限压保护，本实用新型放电mos保护电容CD以及充电mos保护电容CC具有吸收尖峰能力，与放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC配合保护mos管，切断越快、反压越高，mos切断后，利用对电容的充放电，降低电流变化率，进而降低反压。

基本信息

专利标题：

一种充放电MOS保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922303131.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-20

授权号：

CN211880112U

授权日：

2020-11-06

发明人：

禹成海

申请人：

苏州妙益科技股份有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区05幢（NW-05）401室和501室

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201922303131.8

主分类号：

H02J7/00

IPC分类号：

H02J7/00 H02H3/08 H02H7/20