一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器
授权
摘要
本实用新型公开了一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器，当输入电压低至0V时，所有MOS管都能够充分工作在饱和区，因而能够保证电压跟随器能够正常工作；随着输入电压增高，PMOS管P9漏端电压会迫近电源电压VDD，此时PMOS管P9进入线性区，导致PMOS管P9的栅极电压急剧下降，但是只要没有下降到迫使NMOS管N3进入线性区，电压跟随器仍能正常工作。因此PMOS管P9栅极电压可以低至小于2Vdsat，PMOS管P9的栅极电压允许摆幅得到较大的扩展。
基本信息
专利标题 ：
一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922308617.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-16
授权号 ：
CN211089632U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
白春风刘天宇郭泽涛乔东海
申请人 ：
苏州大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区济学路8号
代理机构 ：
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陆金星
优先权 ：
CN201922308617.0
主分类号 ：
H03K19/003
IPC分类号 ：
H03K19/003 H03K19/0185
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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