一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与PNP型三极管的基极相连接，控制单元的输出端与PNP型三极管的发射极相连接，其中，并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管的栅极与PNP型三极管的发射极相连接，第二MOS管的栅极与PNP型三极管的集电极相连接。本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，能够在使用两个或多个MOS管并联，实现较高变换功率的基础上，显著降低电源轻载或者空载待机功耗。
基本信息
专利标题 ：
一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922344339.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN210745009U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
张建华许峰
申请人 ：
青岛元通电子有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市市北区驼峰路1号
代理机构 ：
北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
郑青松
优先权 ：
CN201922344339.4
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 H02M3/335
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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