一种用于半导体封装模具内腔的复合涂层
授权
摘要
本实用新型涉及的用于半导体封装模具内腔的复合涂层，包括直接与模具内腔表面结合的过渡层、以及部分嵌入在过渡层的功能层，过渡层为Co‑W/多孔Cu层，功能层为DLC/SiC层，Co‑W/多孔Cu层能够提供高比表面积，提高DLC/SiC涂层与内腔基底的结合力，有效防止在封装作业过程中复合涂层的剥落；由于DLC/SiC涂层具有耐侵蚀性和低黏附性，可以使半导体封装模具内腔表面避免污染物的残留破坏产品以及对于模具内腔的侵蚀，提高半导体封装模具的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体封装模具内腔的复合涂层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922358894.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN211367734U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
陈君乐务时
申请人 ：
苏州涂冠镀膜科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区胜浦镇同胜路22号B栋
代理机构 ：
苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
叶栋
优先权 ：
CN201922358894.2
主分类号 ：
C23C28/00
IPC分类号 ：
C23C28/00 C23C14/35 C23C14/06 C25D3/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C28/00
用不包含在C23C2/00至C23C26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
