低泄射扩展坞
授权
摘要
本实用新型涉及一种低泄射扩展坞，包括：上壳体、下壳体、信号转接板、信号滤波板、第一逐级独立暗仓屏蔽结构、输入接口和至少一个输出接口；第一逐级独立暗仓屏蔽结构设置在下壳体上；信号转接板和信号滤波板通过第一逐级独立暗仓屏蔽结构压合在上壳体上；信号转接板的一端与输入接口相连，用于获取与输入接口连接的输入设备的输入信号；信号转接板的另一端与输出接口相连，用于扩展输入信号；和/或，信号转接板的另一端与信号滤波板的一端相连，用于对输入信号进行转换，并将转换后的信号传输至信号滤波板，信号滤波板的另一端作为输出接口，用于输出滤波后的信号。实现了低泄射信息设备的多功能信号的转换与扩展，以及，高等级电磁防护。
基本信息
专利标题 ：
低泄射扩展坞
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922387905.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN211656777U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
公德正曹刚李建坡
申请人 ：
安方高科电磁安全技术（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区丰德东路9号院2号楼三层317B
代理机构 ：
北京细软智谷知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
谭承世
优先权 ：
CN201922387905.X
主分类号 ：
H05K9/00
IPC分类号 ：
H05K9/00 H01R13/652 H01R13/648
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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