一种带有温度补偿的欠压保护电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种带有温度补偿的欠压保护电路，包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器，二极管的正极接电源，二极管的负极接齐纳管的负极，齐纳管的正极接第一电阻，第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一MOS管和反相器构成常规的欠压保护电路，第四电阻、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管构成对常规欠压保护电路的温度补偿电路，第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。通过温度补偿电路对常规的欠压保护电路中的电阻和MOS管温度系数所带来的阈值变化，实现成本低，温度补偿效果明显，可极大改善温度带来的阈值点的变化。
基本信息
专利标题 ：
一种带有温度补偿的欠压保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922388072.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN211151511U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
罗寅沈志伟谭在超丁国华张胜
申请人 ：
苏州锴威特半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
叶倩
优先权 ：
CN201922388072.9
主分类号 ：
H02H3/24
IPC分类号 ：
H02H3/24
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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