一种MOSFET开关工作电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种MOSFET开关工作电路，包括：主电路，具有半导体场效应晶体管；及降噪电路，并联于所述半导体场效应管的源极与漏极之间，所述降噪电路具有第一电容及与所述第一电容串联的第一电阻，以使所述降噪电路能够与所述主电路的震荡频率相抵消。上述一种MOSFET开关工作电路能够通过降噪电路降低原主电路的电路信号的振荡，低了传导发射和辐射发射的值，同时避免了极端条件下，MOSFET过压损坏，震荡损坏，提高了产品的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种MOSFET开关工作电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922409376.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-28
授权号 ：
CN210629441U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
钱海斌卞建军陈素华朱振锋
申请人 ：
张家港市诚远电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市杨舍镇悦丰路15号
代理机构 ：
苏州欣达共创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘盼盼
优先权 ：
CN201922409376.9
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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