一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路，包括二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2，所述二极管D2的阳极接于充电器/电源的电源VD，所述二极管D2的阴极与所述二极管D1的阳极连接，所述二极管D1的阴极与驱动电路连接，所述电容C1的一端连接于充电器/电源的正极输出端。本实用新型的有益效果是：采用简单的电路产生驱动电源，成本较低，占用面积较小，方便PCB的布局。
基本信息
专利标题 ：
一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922461433.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211880147U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
钟宇明
申请人 ：
深圳职业技术学院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽湖镇西丽湖畔
代理机构 ：
深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡吉科
优先权 ：
CN201922461433.8
主分类号 ：
H02J7/10
IPC分类号 ：
H02J7/10 H02M3/155
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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