一种CMOS工艺低压检测电路结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种CMOS工艺低压检测电路结构，包括：电压采样电路基准电压产生电路、电压比较电路、施密特触发电路、采样电压控制电路；所述电压采样电路提供可被采样的第一电压和第二电压，该第一电压小于第二电压；电压采样电路的第一电压和第二电压端口与采样控制电路连接，所述采样控制电路的控制端口与施密特触发电路输出端口连接，施密特触发电路的输出信号控制所述采样电路采样第一电压或第二电压；电压比较电路的参考端口与基准电压产生电路的输出端口连接，采样电压端口与采样控制电路的输出端口连接，所述电压比较电路将上述的第一电压或第二电压与参考电压比较；电压比较电路的输出端口与施密特触发电路的输入端口连接，该方案更能适应噪声。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS工艺低压检测电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922461904.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN212540500U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
李湘春徐兴蓝龙伟胡锦
申请人 ：
苏州锐控微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州高新区科技城科灵路78号
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤东凤
优先权 ：
CN201922461904.5
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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