提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，包括：基底、底部金属、焊垫、修复金属部以及金属线。本实用新型在去除第一掩膜层后在底部金属及其周围的基底上形成修复金属层，修复金属层具有比底部金属更高的表面平整度，从而可以提高后续形成的焊垫的表面的平整度，可以使得焊垫的表面与焊垫周围的底部金属的表面之间的粗糙度差异变大，使得二者更容易辨识区分，从而有利于在焊垫上准确有效的制备金属线，提高金属线制备的良率。
基本信息
专利标题 ：
提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922463066.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211088241U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
尹佳山王荣荣周祖源吴政达
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
佟婷婷
优先权 ：
CN201922463066.5
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2021-07-02 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/768
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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