一种避免二次损伤的高精度侧脑室穿刺定位仪

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摘要

本实用新型公开了一种避免二次损伤的高精度侧脑室穿刺定位仪，包括基座，基座包括下部基座环和两条弧形平行导轨，导轨与基座环垂直设置，导轨的表面设置有刻度线；两条导轨之间安置有导管，导管的头部与导轨下部卡接，导管上嵌套有滑块，滑块下部与导轨上部贴合，滑块表面设置有与导轨表面刻度线相配合的指针；导管上还设置有锁紧件；导管一侧设置有开口，置于导管上的滑块和锁紧件均设置有与导管开口位置相匹配的开口，导管开口的侧壁还设有封闭开口的滑动门，基座中导轨的弧度为120°，导轨表面刻度线的刻度区间为‑60~+60°。该侧脑室穿刺定位仪能提升可操作性，增加精度，避免二次损伤，减少手术操作步骤，降低感染和癫痫发生的风险。

基本信息

专利标题：

一种避免二次损伤的高精度侧脑室穿刺定位仪

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922474761.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-31

授权号：

CN211381666U

授权日：

2020-09-01

发明人：

刘洛同吴丽红罗宁向伟周杰王颢润

申请人：

西南医科大学附属医院

申请人地址：

四川省泸州市江阳区太平街25号

代理机构：

成都君合集专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

何巍

优先权：

CN201922474761.1

主分类号：

A61B17/34

IPC分类号：

A61B17/34