一种改善尾部阴影的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种改善尾部阴影的装置,包括设置在铸锭炉DS石墨平台与坩埚之间的回字形石墨软毡,所述回字形石墨软毡设置于所述铸锭炉DS石墨平台表面,所述坩埚设置在所述回字形石墨软毡上表面且将所述坩埚的底部外周位于所述回字形石墨软毡的内边与外边之间。通过将回字形石墨软毡设置在铸锭炉DS石墨平台与坩埚之间,匹配熔化、长晶工艺,替换现有的在DS台四周加装隔热条,有效增强坩埚外部的保温性能,平衡内外长晶速率,因而对尾部阴影的改善效果显著,从而可以改善晶体品质,降低铸锭成本,降低硅片低效比例,工艺仅需针对周期进行简单调整,且该装置设置极为简单,使用成本较低。
基本信息
专利标题 :
一种改善尾部阴影的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922484071.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-30
授权号 :
CN211420364U
授权日 :
2020-09-04
发明人 :
周勤仁周建国龙昭钦冷金标谭水根宋丽平雷鸣刘小园徐志群
申请人 :
晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请人地址 :
江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
刘新雷
优先权 :
CN201922484071.4
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2020-09-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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