高散热的高压IGBT单管
授权
摘要
本实用新型公开了一种高散热的高压IGBT单管，包括：IGBT单管本体，所述IGBT单管本体的正面和背面均设有散热压片，所述IGBT单管本体上罩设有绝缘罩，所述绝缘罩将所述散热压片紧紧抵压在所述IGBT单管本体的正面和背面。本实用新型的有益效果在于：整体结构简单，安装方便，绝缘性能好，安装和拆卸散热压片及绝缘罩时不用破坏IGBT单管本体。
基本信息
专利标题 ：
高散热的高压IGBT单管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922500505.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN210925991U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
靳泽桂
申请人 ：
深圳市质超微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田街道马安堂社区布龙路335号龙景科技园E栋718
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
梁炎芳
优先权 ：
CN201922500505.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/40 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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