功率半导体装置及其制造方法
实质审查的生效
摘要

功率半导体装置具有模塑部、平板状的导电性面板(6)、多个鳍片。模塑部是将功率半导体元件、基座板(20)进行模塑而得到的,该基座板(20)具有配置多个槽的第1面及在与第1面垂直的Z方向上与第1面相反侧的第2面。面板形成有供基座板的第1面插入的开口,并且具有第3面和与第3面相反侧的第4面。多个鳍片固接于基座板的槽。面板在形成开口的侧面具有朝向相对的侧面凸出的多个凸起部(65)。凸起部具有在与由Z方向及凸起部的凸出方向形成的面平行的凸起部的剖面中朝向凸起部的前端而变细的第5面。基座板具有将包含前端在内的多个凸起部的第5面之上覆盖的覆盖部,并且该基座板以将与多个凸起部的侧面之间的间隙填埋的方式产生塑性变形而与面板嵌合。

基本信息
专利标题 :
功率半导体装置及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114342069A
申请号 :
CN201980099697.3
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2019-08-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
芳原弘行增森俊二林建一后藤正喜
申请人 :
三菱电机株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 :
何立波
优先权 :
CN201980099697.3
主分类号 :
H01L23/36
IPC分类号 :
H01L23/36  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择,例如散热器
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/36
申请日 : 20190829
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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