过渡电压保护装置
授权
摘要
本实用新型提供了过渡电压保护装置。过渡电压保护装置(101A、101B)具备：一个共用端子(Pc)、多个输入输出端子(P1、P2)、以及第1端(T1)与共用端子(Pc)直接地或者间接地连接的过渡电压抑制元件(10)，在过渡电压抑制元件(10)的第2端(T2)与多个输入输出端子(P1、P2)之间连接逆流防止电路(11、12)，该逆流防止电路的击穿电压比过渡电压抑制元件(10)的击穿电压高，将过渡电压抑制元件(10)的击穿电流流动的方向设为正向。通过该结构，对于过渡电压保护装置的多个端子，针对过渡电压适当地进行保护。
基本信息
专利标题 ：
过渡电压保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201990000161.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-02
授权号 ：
CN211743125U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
坂井宣夫
申请人 ：
株式会社村田制作所
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
金雪梅
优先权 ：
CN201990000161.7
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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