激光二极管像散的测量系统及测量方法
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摘要

本发明适用于半导体技术领域,提供了一种激光二极管像散的测量系统及测量方法,系统包括激光二极管、透镜、分束棱镜、光功率计、相机、横缝光阑和竖缝光阑;激光二极管发射激光光束通过透镜传输至分束棱镜;分束棱镜对部分出射光束进行透射形成透射光束,对部分出射光束进行反射形成反射光束;相机实时监控反射光束的光斑形态;横缝光阑安装在光功率计上;根据光功率计实时测量的功率确定光功率计的位置;竖缝光阑替换横缝光阑;将激光二极管从初始位置向前移动至目标位置,激光二极管位于目标位置时,光功率计在激光二极管向前移动的过程中测量的功率最大;初始位置与目标位置之间的距离为激光二极管的像散值。本发明能提高像散测量的准确性。

基本信息
专利标题 :
激光二极管像散的测量系统及测量方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111273150A
申请号 :
CN202010116114.8
公开(公告)日 :
2020-06-12
申请日 :
2020-02-25
授权号 :
CN111273150B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
罗先萍林建东任玉松李安李军建
申请人 :
森思泰克河北科技有限公司
申请人地址 :
河北省石家庄市鹿泉经济开发区御园路99号西孵化楼三楼
代理机构 :
石家庄国为知识产权事务所
代理人 :
付晓娣
优先权 :
CN202010116114.8
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  G01M11/02  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-29 :
授权
2020-07-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20200225
2020-06-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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