一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法

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摘要

本发明公开了一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法。介电复合材料制备中，高体积分数无机物粒子的加入，会导致聚合物的机械性能和击穿强度大幅度降低。所述的复合材料是由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的；钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1～30％，钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1～10μm，厚度为10～100nm；所述的PVDF基聚合物包含聚偏氟乙烯PVDF和基于PVDF的P(VDF‑CTFE)、P(VDF‑HFP)、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑CTFE‑TrFE)。本发明使用二维片状钛酸锶作为无机添加粒子，可以有效降低添加物的含量，避免高含量无机粒子添加导致的机械性能和击穿强度的下降。

基本信息

专利标题：

一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111218072A

申请号：

CN202010132560.8

公开（公告）日：

2020-06-02

申请日：

2020-02-29

授权号：

CN111218072B

授权日：

2022-04-01

发明人：

李丽丽胡永倩周炳吴薇董林玺王高峰

申请人：

杭州电子科技大学

申请人地址：

浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

黄前泽

优先权：

CN202010132560.8

主分类号：

C08L27/16

IPC分类号：

C08L27/16 C08K9/04 C08K7/00 C08K3/24 C08J5/18