一种添加镧铈的稀土永磁器件及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种添加镧铈的稀土永磁器件及其制造方法。该稀土永磁器件含有Nd、Pr、La、Ce、Tb、Fe、B元素；主相具有R2T14M的结构，晶界相主要为富R项和稀土氧化物，从器件的断面分析，主相所占的面积率为95%以上，富R项所占的面积率大于0.5%；从主相中心到晶界，稀土Nd或Pr的浓度逐渐升高，富R项含有Nd、Pr、Tb元素，稀土氧化物中的稀土元素包含La、Ce元素；稀土永磁器件中的稀土元素Nd、Pr、La和Ce的合计重量占稀土永磁器件总重量的28‑34%，La和Ce的合计重量占稀土永磁器件中稀土成分总重量的3‑60%，Tb的重量占稀土永磁器件中稀土成分总重量的5%以下。本技术可以在用镧铈替代器件中一部分镨钕的同时，使器件保持较高的磁性能以及耐热性能。
基本信息
专利标题 ：
一种添加镧铈的稀土永磁器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111304624A
申请号 ：
CN202010161340.8
公开（公告）日 ：
2020-06-19
申请日 ：
2020-03-10
授权号 ：
CN111304624B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
孙昊天段永利
申请人 ：
沈阳中北通磁科技股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区汇泉东路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202010161340.8
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56 C23C14/35 C23C14/34 C23C14/16 C23C14/58 B22F9/02 B22F3/10 H01F41/02 H01F1/057
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-07-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/56
申请日 : 20200310
申请日 : 20200310
2020-06-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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