一种用于功率开关MOSFET导通电流采样电路
授权
摘要
本发明实施例提供了一种用于功率开关MOSFET导通电流采样电路，涉及电机驱动保护的技术领域。本发明实施例提供了一种用于功率开关MOSFET导通电流采样电路，电路由控制器控制第一驱动器和/或第二驱动器，包括：正转采样电路，正转驱动MOS管组，反转驱动MOS管组以及第一电容C1以及检测电阻Rsen；正转采样电路包括第五MOS管M5、第六MOS管M6以及第一监视MOS管Msen1、第一开关SW1以及第一比较器；通过上述器件及其连接方式，可以将通过检测电阻Rsen电流大幅度减小，从而减少通过检测电阻Rsen的热耗，降低了散热系统的设计难度。
基本信息
专利标题 ：
一种用于功率开关MOSFET导通电流采样电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111537775A
申请号 ：
CN202010206174.9
公开（公告）日 ：
2020-08-14
申请日 ：
2020-03-23
授权号 ：
CN111537775B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
黄胜明李卫东
申请人 ：
苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园（苏州瑞铬优电子科技有限公司）
代理机构 ：
天津才智专利商标代理有限公司
代理人 ：
庞学欣
优先权 ：
CN202010206174.9
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-09-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 19/00
申请日 : 20200323
申请日 : 20200323
2020-08-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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