一种分段蒸发结晶制备高纯晶体的方法

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摘要

本发明公开一种分段蒸发结晶制备高纯晶体的方法。包括步骤：将不饱和溶液进行蒸发结晶；通过结晶在线监测装置，监测到溶液首批晶核出现时，停止蒸发结晶，得到晶浆1；将晶浆1进行固液分离，得到溶液1和晶体1；将溶液1进行蒸发结晶，直至蒸发结晶停止，得到晶浆2；将晶浆2进行固液分离，得到溶液2和晶体2；将晶体2洗涤，得到纯净晶体。本发明通过在线实时监测蒸发结晶过程的初级爆发成核，利用初级爆发成核富集钙离子等杂质的特性，实现杂质离子的去除。将初级爆发成核得到的晶浆1固液分离后，将分离得到的溶液1进行二次蒸发结晶，得到高纯晶体。利用该方法，可显著降低晶体中钙离子等杂质离子含量，实现高纯晶体的制备。

基本信息

专利标题：

一种分段蒸发结晶制备高纯晶体的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111514604A

申请号：

CN202010304147.5

公开（公告）日：

2020-08-11

申请日：

2020-04-17

授权号：

CN111514604B

授权日：

2022-05-31

发明人：

郭涛杨波

申请人：

深圳大学

申请人地址：

广东省深圳市南山区南海大道3688号

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

徐凯凯

优先权：

CN202010304147.5

主分类号：

B01D9/02

IPC分类号：

B01D9/02