一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺
授权
摘要
本发明提供了一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺，所述铝包铜材料i)核部分是铜，壳部分是铝；ii)核部分厚度尺寸在50nm～50um，壳部分厚度尺寸在5nm～5um。该材料通过施加超声和压力进行焊接。超声焊接的过程短，相比于加热烧结，大大节省封装的工时。氧化铝外层可以满足铜颗粒的抗氧化保护，无需特别外层抗氧化包覆，且可以在超声压力下，该氧化铝层破碎而暴露出新鲜的铝表面而实现铝‑铝结合，这个融合焊接可在较低加热温度甚至室温情况下实现颗粒间的融合。
基本信息
专利标题 ：
一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111490028A
申请号 ：
CN202010318138.1
公开（公告）日 ：
2020-08-04
申请日 ：
2020-04-21
授权号 ：
CN111490028B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张卫红唐宏浩叶怀宇张国旗
申请人 ：
深圳第三代半导体研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘敦枫
优先权 ：
CN202010318138.1
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-08-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/52
申请日 : 20200421
申请日 : 20200421
2020-08-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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