一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺
授权
摘要
本发明涉及一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺，属于太阳能电池技术领域。本发明可以将太阳能电池片扩散后的方阻由125‑130/sq，提升至140‑150Ω/sq，具体结果根据使用的扩散炉会有所不同,开压提升2毫伏，效率提升0.1%以上。可匹配选择性发射极（SE）+碱抛，实现规模化量产。
基本信息
专利标题 ：
一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111508829A
申请号 ：
CN202010344852.8
公开（公告）日 ：
2020-08-07
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN111508829B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
王奎
申请人 ：
徐州谷阳新能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州市高新技术产业开发区滨湖大道南
代理机构 ：
南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱磊
优先权 ：
CN202010344852.8
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225 H01L31/18 H01L31/068
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-09-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/225
申请日 : 20200427
申请日 : 20200427
2020-08-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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