进行红外感测的图像传感器和其制造方法
授权
摘要
本公开涉及进行红外感测的图像传感器和其制造方法。一种图像传感器包含半导体衬底、第一外延层、第二外延层、多个光电二极管和多个像素隔离结构。所述第一外延层形成于所述半导体衬底上，且所述第二外延层形成于所述第一外延层上。每一光电二极管包含形成于所述第一外延层中的第一扩散区和形成于所述第二外延层中的第二扩散区。所述第二扩散区延伸穿过所述第二外延层并且电耦合到所述第一扩散区。每一像素隔离结构包含形成于所述第一外延层中的相邻第一扩散区之间的第一隔离结构和形成于所述第二外延层中的相邻第二扩散区之间的第二隔离结构。所述第二隔离结构延伸穿过所述第二外延层以连接到所述第一隔离结构。
基本信息
专利标题 ：
进行红外感测的图像传感器和其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112397534A
申请号 ：
CN202010400460.9
公开（公告）日 ：
2021-02-23
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN112397534B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
王勤陈刚
申请人 ：
豪威科技股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘媛媛
优先权 ：
CN202010400460.9
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-06-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20200513
申请日 : 20200513
2021-02-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
