具有超高储能性能的焦绿石纳米晶电介质薄膜及其制备
授权
摘要
本发明提供了一种具有超高储能性能的焦绿石纳米晶电介质薄膜及其制备方法，所述薄膜材料的成分组成满足下述要求：(Pb1‑xCax)ZrO3，x＝0.10～0.14，并由焦绿石相的纳米晶粒构成。该薄膜材料具有超高的储能性能：电场击穿强度为5MV/cm，储能密度91.3J/cm3，储能效率为85.3％。该材料的制备方法是，首先按照化学成分的比例配制前驱体溶液，然后将所得溶液置于衬底材料上旋涂成膜，随后干燥，重复上述过程数次后达到所需厚度，最后在快速加热炉中退火，得到钙掺杂锆酸铅薄膜材料。该薄膜材料作为电介质材料在超高速脉冲功率器件、薄膜电容器等储能器件上具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
具有超高储能性能的焦绿石纳米晶电介质薄膜及其制备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111704162A
申请号 ：
CN202010404003.7
公开（公告）日 ：
2020-09-25
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN111704162B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
王占杰李异卓
申请人 ：
沈阳工业大学
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
代理机构 ：
沈阳晨创科技专利代理有限责任公司
代理人 ：
张晨
优先权 ：
CN202010404003.7
主分类号 ：
C01G25/00
IPC分类号 ：
C01G25/00 H01G4/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G25/00
锆的化合物
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-10-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 25/00
申请日 : 20200513
申请日 : 20200513
2020-09-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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