正负电压生成电路
授权
摘要
本申请公开了一种正负电压生成电路，涉及闪存器件领域，该正负电压生成电路至少包括正电压生成电路、负电压生成电路、触发电路；负电压生成电路与触发电路的输入端连接，触发电路与正电压生成电路连接；负电压生成电路用于生成目标负电压；触发电路用于在负电压生成电路完成生成目标负电压时触发正电压生成电路；正电压生成电路用于在触发电路的触发下开始生成目标正电压；目标正电压和目标负电压用于控制闪存器件进行擦除操作；解决了目前负电压和正电压先后建立时，容易导致大的峰值电流的问题；达到了错开正电荷泵和负电荷泵的峰值电流，降低整体电路的峰值电流的效果。
基本信息
专利标题 ：
正负电压生成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111681698A
申请号 ：
CN202010447491.X
公开（公告）日 ：
2020-09-18
申请日 ：
2020-05-25
授权号 ：
CN111681698B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
黄明永
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗雅文
优先权 ：
CN202010447491.X
主分类号 ：
G11C16/14
IPC分类号 ：
G11C16/14 G11C16/30 G11C5/14
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
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G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/14
用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-10-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/14
申请日 : 20200525
申请日 : 20200525
2020-09-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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