一种铁磁/石墨烯外延界面及其低温制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种铁磁/石墨烯外延界面的低温制备方法，包括以下步骤：S1、在绝缘基底上生长具有六角对称性晶格属性的铁磁薄膜，绝缘基底为与铁磁薄膜晶格对称性一致的基底；S2、对铁磁薄膜依次进行退火处理和表面还原处理，得到活性单晶薄膜；S3、将活性单晶薄膜置于等离子体化学气相沉积系统中，控制温度、等离子功率等生长模式，结合表面势能诱导在活性单晶薄膜上外延生长石墨烯，关闭等离子体和停止前驱体的通入，降温冷却，得到铁磁/石墨烯外延界面。本发明制备得到的铁磁/石墨烯外延界面的界面结合力强。
基本信息
专利标题 ：
一种铁磁/石墨烯外延界面及其低温制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111519186A
申请号 ：
CN202010456078.X
公开（公告）日 ：
2020-08-11
申请日 ：
2020-05-26
授权号 ：
CN111519186B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
潘孟春邱伟成胡佳飞李裴森彭俊平吴瑞楠胡悦国
申请人 ：
中国人民解放军国防科技大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
代理机构 ：
湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张丽娟
优先权 ：
CN202010456078.X
主分类号 ：
C23C28/00
IPC分类号 ：
C23C28/00 C23C16/505 C23C16/26 C23C14/58 C23C14/18 H01L29/16 H01L29/165 H01L43/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C28/00
用不包含在C23C2/00至C23C26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 28/00
申请日 : 20200526
申请日 : 20200526
2020-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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