一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用
授权
摘要
本发明公开了一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用；将铜盐、钴盐和六亚甲基四胺溶解于水和甲醇的混合溶剂中，将溶液转移至反应釜中，将泡沫镍倾斜置于溶液中，进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，产物经洗涤、干燥，即可制得Cu掺杂Co(OH)2纳米片阵列结构材料；本公开的Cu掺杂Co(OH)2纳米片阵列结构，利用Cu掺杂可以有效地调节Co(OH)2的电子结构，减小电阻，增加活性位点，提高亲水性，加快电子转移速率；所述Cu掺杂Co(OH)2纳米片阵列结构材料作为尿素氧化反应、析氢反应和全尿素电解反应的电催化剂，具有活性高、耐久性好以及制备工艺简单、成本低廉的优点，对研究产氢电催化电极材料的实际应用非常具有价值。
基本信息
专利标题 ：
一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111883367A
申请号 ：
CN202010531881.5
公开（公告）日 ：
2020-11-03
申请日 ：
2020-06-11
授权号 ：
CN111883367B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
吴正翠王相宇高峰
申请人 ：
安徽师范大学
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹婷婷
优先权 ：
CN202010531881.5
主分类号 ：
H01G11/30
IPC分类号 ：
H01G11/30 H01G11/86 H01G11/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G11/00
混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层电容器；其制造方法或其零部件的制造方法
H01G11/22
电极
H01G11/30
以它们的材料为特征的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-11-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 11/30
申请日 : 20200611
申请日 : 20200611
2020-11-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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