一种CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种CVD金刚石厚膜‑陶瓷复合片钎焊刀具及其制备方法，步骤如下：S1、将氮化硅陶瓷基体表面喷砂粗化后超声波植晶，得到预处理过的氮化硅陶瓷基体；S2、采用微波化学气相沉积法沉积金刚石厚膜得到CVD金刚石厚膜‑陶瓷复合片；S3、将复合片上的CVD金刚石厚膜进行机械抛光；S4、将机械抛光后的复合片激光切割成所需形状；S5、将激光切割后的复合片，真空钎焊至硬质合金刀体上，然后通过刃磨制成CVD金刚石厚膜‑陶瓷复合片钎焊刀具。本方法有效简化CVD金刚石厚膜钎焊刀具的制备工序，降低成本，同时优化金刚石厚膜的晶粒尺度，抑制膜基界面的孔洞产生，陶瓷基底作为支撑可保证金刚石厚膜在抛光过程中不易断裂。
基本信息
专利标题 ：
一种CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111910168A
申请号 ：
CN202010566135.X
公开（公告）日 ：
2020-11-10
申请日 ：
2020-06-19
授权号 ：
CN111910168B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
宋鑫孙方宏
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海汉声知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡晶
优先权 ：
CN202010566135.X
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/02 C23C16/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/27
申请日 : 20200619
申请日 : 20200619
2020-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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