一种基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法，制备方法包括：配料、一次球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排胶和烧结。本发明制备过程中所用原料来源广泛，制备过程简单，无需高压，长时间保温，也无需额外添加形核剂等添加剂，可适用于工业化生产。通过本发明制备方法制得的微波介质陶瓷材料为单一的单斜相，且介电性能良好，可作为各种元器件关键材料的使用。
基本信息
专利标题 ：
一种基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111635222A
申请号 ：
CN202010587434.1
公开（公告）日 ：
2020-09-08
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN111635222B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
丁士华朱惠张云李超宋天秀
申请人 ：
西华大学
申请人地址 ：
四川省成都市金牛区土桥金周路999号
代理机构 ：
北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何凡
优先权 ：
CN202010587434.1
主分类号 ：
C04B35/195
IPC分类号 ：
C04B35/195 C04B35/622 C04B35/634 C04B35/638
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/16
以黏土之外的硅酸盐为基料的
C04B35/18
高氧化铝的
C04B35/195
碱土硅酸铝，例如堇青石
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-10-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/195
申请日 : 20200624
申请日 : 20200624
2020-09-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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