电容及其制备方法、应用
授权
摘要
本发明涉及电容及其制备方法、应用。电容中SiGe膜的沉积方法，包括：先向半导体基底上供应硅烷系气体，再供应SiGe膜所需的前驱体气体，进行沉积。本发明可以避免SiGe晶体应力对下层膜的损伤，减少电流泄露，提高电容量和器件运行速度。
基本信息
专利标题 ：
电容及其制备方法、应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111900150A
申请号 ：
CN202010604961.9
公开（公告）日 ：
2020-11-06
申请日 ：
2020-06-29
授权号 ：
CN111900150B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
安重镒李相遇金成基熊文娟蒋浩杰李亭亭罗英
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
佟林松
优先权 ：
CN202010604961.9
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L49/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-11-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20200629
申请日 : 20200629
2020-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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