一种SiC纳米粉体颗粒的制备方法
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摘要
一种SiC纳米粉体颗粒的制备方法,它属于碳化硅制备、陶瓷粉体、纳米材料制备技术领域,它要解决现有碳化硅粉体的制备存在产率低、粒径分布不均匀和纯度较低的问题。方法:一、大分子多糖胶体溶液的制备;二、反应前驱体干凝胶粉体的制备;三、纳米SiC颗粒初产物的制备;四、纳米SiC粉体颗粒的调控制备;五、除杂,即完成SiC纳米粉体颗粒的制备。本发明中根据反应物的比例以及形状调节剂的添加量可以调控生成SiC颗粒的尺寸;本发明制备的SiC纳米粉体颗粒的具有纳米尺度且粒度均匀、纯度高、产率高,可批量工业化生产的优点。本发明应用于SiC纳米粉体颗粒的制备。
基本信息
专利标题 :
一种SiC纳米粉体颗粒的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111825093A
申请号 :
CN202010758154.2
公开(公告)日 :
2020-10-27
申请日 :
2020-07-31
授权号 :
CN111825093B
授权日 :
2022-05-06
发明人 :
王志江
申请人 :
黑龙江冠瓷科技有限公司
申请人地址 :
黑龙江省哈尔滨市南岗区邮政街副434号哈工大科技园大厦十层1009房间
代理机构 :
哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
代理人 :
侯静
优先权 :
CN202010758154.2
主分类号 :
C01B32/977
IPC分类号 :
C01B32/977 C04B35/565 C04B35/626 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B32/00
碳;其化合物
C01B32/90
碳化物
C01B32/914
单一元素碳化物
C01B32/956
碳化硅
C01B32/963
通过含硅化合物制备
C01B32/977
通过含硅有机化合物制备
法律状态
2022-05-06 :
授权
2021-12-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : C01B 32/977
登记生效日 : 20211123
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 黑龙江冠瓷科技有限公司
变更后权利人 : 哈尔滨工业大学
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区邮政街副434号哈工大科技园大厦十层1009房间
变更后权利人 : 150001 黑龙江省哈尔滨市西大直街92号
登记生效日 : 20211123
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 黑龙江冠瓷科技有限公司
变更后权利人 : 哈尔滨工业大学
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区邮政街副434号哈工大科技园大厦十层1009房间
变更后权利人 : 150001 黑龙江省哈尔滨市西大直街92号
2020-11-13 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/977
申请日 : 20200731
申请日 : 20200731
2020-10-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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