在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺
授权
摘要
本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤，各抛光步骤均使用同一种抛光布，不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液，依靠各抛光步骤之间以及各项工艺参数的匹配联调，实现各抛光步骤应有的效果。通过这种方式抛光的晶片的总厚度变化可保持至≤2μm水平，平整度可保持至≤0.5μm的水平，有效提升了加工效率。
基本信息
专利标题 ：
在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111890132A
申请号 ：
CN202010783268.2
公开（公告）日 ：
2020-11-06
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
CN111890132B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
陈晨杨洪星索开南李聪庞炳远杨静王雄龙张伟才赵权
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请人地址 ：
天津市河西区洞庭路26号
代理机构 ：
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 ：
杨舒文
优先权 ：
CN202010783268.2
主分类号 ：
B24B1/00
IPC分类号 ：
B24B1/00 B24B29/02 B24B57/02 H01L21/306 B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-11-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 1/00
申请日 : 20200806
申请日 : 20200806
2020-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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