一种MOSFET静电泄放用连接装置
授权
摘要
本发明公开了一种MOSFET静电泄放用连接装置，包括晶体管主体，晶体管主体一侧安装有连接线，连接线远离晶体管主体一侧插接接地线，连接线上套设有第一固定板，接地线上套设有第二固定板，第一固定板上下两端均安装有转动机构，两个转动机构靠近第二固定板一侧均安装有连接杆，本发明的有益效果是：通过设置的连接杆、连接槽、卡接机构和限位槽结构，能够使第一固定板和第二固定板连接，从而加固连接线与接地线的连接，避免出现断开的现象，使连接线和接地线的连接更加稳定，同时，设置的转动机构和顶出机构，能够便于将第一固定板和第二固定板分离，从而方便连接线和接地线的拆卸更换。
基本信息
专利标题 ：
一种MOSFET静电泄放用连接装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112164931A
申请号 ：
CN202010846799.1
公开（公告）日 ：
2021-01-01
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
CN112164931B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
孙桂芳
申请人 ：
西安环宇芯微电子有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区电子西街3号#102厂房一、二楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202010846799.1
主分类号 ：
H01R13/639
IPC分类号 ：
H01R13/639 H01R13/633 H01R13/648
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01R 13/639
申请日 : 20200821
申请日 : 20200821
2021-01-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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