一种制备低表面活性氘化铈的方法
授权
摘要
本发明涉及一种制备低表面活性氘化铈的方法，属于材料科学与核技术领域。目的是为了解决氘化铈表面活性高，容易受到空气腐蚀，在高温条件下不稳定而导致应用困难的问题。所得改性氘化铈表面能够很好地覆盖一层均匀的聚脲，显著降低了氘化铈的表面活性，使其能够在自然环境中长久稳定的保存而不变质，并且在200℃以下不会与空气反应发生自燃现象，有利于氘化铈在高能量密度材料以及核材料中的应用，并可作为清洁能源的载体，打开世界能源应用新的大门；改性与制备方法简洁，改性试剂易得，操作简单；制备过程无三废排放，并具有普适性，适合大规模生产。
基本信息
专利标题 ：
一种制备低表面活性氘化铈的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112110414A
申请号 ：
CN202010899949.5
公开（公告）日 ：
2020-12-22
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN112110414B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
刘吉平李年华
申请人 ：
北京理工大学
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 ：
北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王民盛
优先权 ：
CN202010899949.5
主分类号 ：
C01B6/00
IPC分类号 ：
C01B6/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B6/00
金属氢化物；甲硼烷或乙硼烷；其加成配合物
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-01-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 6/00
申请日 : 20200831
申请日 : 20200831
2020-12-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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